Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 185 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
146-4448
Herst. Teile-Nr.:
TP0610K-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

185 mA

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

-3V

Gate-Schwellenspannung min.

-1V

Verlustleistung max.

350 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

2.64mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,7 nC @ 10 V

Länge

3.04mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.02mm

Diodendurchschlagsspannung

-1.4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Halogenfrei

Definition

Leistungs-MOSFET TrenchFET®

Schalter für Hochspannungsseite

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: 6 

Niedriger Schwellenwert: – 2 V (typ.)

Schnelles Schalten: 20 ns, (typ.)

Niedrige Eingangskapazität: 20 pF (typ.)

2000 V ESD-Schutz

ANWENDUNGEN

Treiber: Relais, Magnetschalter, Leuchten, Hämmer, Display,

Speicher, Transistoren usw.

Batteriebetriebene Systeme

Netzteil-Wandlerschaltungen

Halbleiterrelais

VORTEILE

Einfacher Antrieb der Schalter

Geringe Offset-Spannung (Fehler)

Niederspannungsbetrieb

Hochgeschwindigkeits-Stromkreise

Einfacher Antrieb ohne Puffer

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