Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –20 V / 3,3 A 6250 mW, 3-Pin SOT-23

MOSFETs für den Automobilbereich, das weltweit größte Portfolio an AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs – ein tiefes Verständnis der Anforderungen an das Automobilsystem und fokussierte technische Fähigkeiten ermöglichen es Nexperia, Leistungshalbleiterlösungen für ein breites Spektrum von Anwendungen anzubieten. Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.

AEC-Q101-konformVerfügt über Repetitive-Avalanche-RatingGeeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund einer Nenntemperatur von 175 °C

P-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), P-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-TechnologieSehr schnelle SchaltungVerbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 890 mWSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBMAEC-Q101-qualifiziert