Nexperia BUK9M8560E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12.8 A 31 W, 4-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
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Herst. Teile-Nr.:
BUK9M85-60EX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

BUK9M8560E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

192mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.4nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.6 mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 60 V, 85 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.

Q101-konform

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:

Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C

12-V-Kfz-Systeme

Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung

Getriebesteuerung

Schalten von extrem hohen Leistungen

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