Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.3 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
153-0781P
Herst. Teile-Nr.:
PMV20XNEAR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

6.94W

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung

Sehr schnelle Schaltung

Trench MOSFET-Technologie

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

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