Nexperia PMCM4401VNEAZ N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 12,5 W, 4-Pin WLCSP

N-Kanal-MOSFETs für ≤ 20 V, Erhalten Sie die optimale Schaltlösungen für Ihren mobilen Designs: Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs mit bis zu 20 V. Großartige Zuverlässigkeit aufgrund unserer bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere Niederspannungs-MOSFETs sind einfach zu verwenden und wurden eigens entwickelt, um die Anforderungen mobiler Anwendungen mit niedrigen Treiberspannungen zu erfüllen.

N-Kanal-Trench-MOSFET für 12 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP) mit 4 Depots mit MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung
Extrem kleines Gehäuse: 0,78 x 0,78 x 0,35 mm
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen