Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.5 A 12.5 W, 8-Pin PXN018-30QLJ MLPAK33

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

5,25 €

(ohne MwSt.)

6,25 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.850 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 250,21 €5,25 €
50 - 750,206 €5,15 €
100 - 2250,158 €3,95 €
250 - 9750,154 €3,85 €
1000 +0,096 €2,40 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
240-1985
Herst. Teile-Nr.:
PXN018-30QLJ
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

MLPAK33

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Kompatibel mit Logik-Ebene

Trench-MOSFET-Technologie

MLPAK33-Gehäuse (3,3 x 3,3 mm Abmessung)

Verwandte Links