Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.3 A 12.5 W, 8-Pin MLPAK33
- RS Best.-Nr.:
- 240-1979
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN010-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
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| 50 - 75 | 0,593 € | 14,83 € |
| 100 - 225 | 0,453 € | 11,33 € |
| 250 - 975 | 0,444 € | 11,10 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-1979
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN010-30QLJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | MLPAK33 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße MLPAK33 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Nexperia N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Kompatibel mit Logik-Ebene
Trench-MOSFET-Technologie
Extrem niedrige QG und QGD für hohe Systemeffizienz, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen
Superschnelles Schalten mit weicher Erholung
Geringes Spiking und Klingeln für geringe elektromagnetische Störungen
MLPAK33-Gehäuse (3,3 x 3,3 mm Abmessung)