Texas Instruments NexFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt sichern

100 weitere Einheiten hinzufügen, um 3% zu sparen

Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*

178,20 €

(ohne MwSt.)

212,05 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
Ihre Ersparnis
50 - 503,564 €178,20 €-
100 - 2003,456 €172,80 €3%
250 +3,414 €170,70 €4%

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
162-9739
Herst. Teile-Nr.:
CSD19536KTTT
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

272A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

118nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

900mV

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65mm

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.