Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5714
Herst. Teile-Nr.:: IRF7855TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 165-5714
Herst. Teile-Nr.:: IRF7855TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7855TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	9,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.9V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	26 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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