Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 18 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-5716
Herst. Teile-Nr.:
IRF7842TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF7842TRPBF


Dieser MOSFET bietet hohe Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen. Mit Spezifikationen wie einem 18A-Dauer-Drain-Strom und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40V verbessert er die Energieeffizienz von elektronischen Geräten. Dieses für die Oberflächenmontage konzipierte Gerät gewährleistet eine lange Lebensdauer und eignet sich für Fachleute aus den Bereichen Elektronik und Automatisierung.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) bei 4,5 V verbessert die Effizienz

• Hohe Strombelastbarkeit optimiert die Leistungsabgabe

• Minimale Gate-Ladung reduziert Schaltverluste

• Lawinengeprüft für mehr Zuverlässigkeit

• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effektive Leistung in Steuerungsanwendungen

Anwendungsbereich


• Verwendung in synchronen MOSFET-Schaltungen für die Stromversorgung von Notebook-Prozessoren

• Dient als sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC-DC-Wandlern

• Funktionen in nicht isolierten DC/DC-Wandler-Konzepten

Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Gerät?


Er arbeitet effizient bis zu +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in Hochtemperaturumgebungen.

Wie behandelt dieses Bauteil den Strom während des Betriebs?


Der Baustein unterstützt einen kontinuierlichen Drain-Strom von 18 A und eignet sich für verschiedene Anwendungen.

Kann es in Hochspannungsstromkreisen verwendet werden?


Ja, die maximale Drain-Source-Spannung ist auf 40 V ausgelegt, was Flexibilität für Hochspannungsanwendungen bietet.

Was sind die Eigenschaften des Wärmewiderstands?


Der Wärmewiderstand vom Übergang zur Umgebung beträgt in der Regel etwa 50-55°C/W, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.

Ist dieser MOSFET mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?


Ja, er ist in einem SOIC-Gehäuse erhältlich, das speziell für die Oberflächenmontage entwickelt wurde und die Integration in Schaltungsdesigns erleichtert.

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