Infineon HEXFET IRLTS2242TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 165-5841
Herst. Teile-Nr.:: IRLTS2242TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLTS2242TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

8400 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

0,122 €

(ohne MwSt.)

0,145 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 - 3000	0,122 €	366,00 €
6000 - 6000	0,116 €	348,00 €
9000 +	0,11 €	330,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 165-5841
Herst. Teile-Nr.:: IRLTS2242TRPBF
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6,9 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	TSOP-6
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	55 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.1V
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC @ 4,5 V
Länge	3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.3mm