Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 907-5151
Herst. Teile-Nr.:: IRFTS9342TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro Stück (In einer VPE à 50)**

0,382 €

(ohne MwSt.)

0,455 €

(inkl. MwSt.)

2850 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
50 - 200	0,382 €	19,10 €
250 - 450	0,226 €	11,30 €
500 - 1200	0,21 €	10,50 €
1250 - 2450	0,195 €	9,75 €
2500 +	0,18 €	9,00 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 907-5151
Herst. Teile-Nr.:: IRFTS9342TRPBF
Marke:: Infineon

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5,8A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRFTS9342TRPBF

Dieser MOSFET ist für einen hohen Wirkungsgrad in verschiedenen Anwendungen ausgelegt und spielt eine wichtige Rolle in elektronischen Schaltungen, die eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Der niedrige Durchlasswiderstand und die hohe Strombelastbarkeit tragen zur Energieeffizienz und Systemstabilität in Automatisierungs- und Elektroanwendungen bei.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger Rds(on) verbessert die Energieeffizienz
• Dauerstromunterstützung von 5,8 A für effektive Leistung
• Maximale Drain-Source-Spannung von 30 V gewährleistet Langlebigkeit
• Oberflächenmontiertes Design ermöglicht kompakte, effiziente Layouts
• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C verbessert die Anpassungsfähigkeit

Anwendungsbereich

• Einsatz in batteriebetriebenen DC-Motorumrichtern
• Eingesetzt zum Schalten von Systemen oder Lasten in verschiedenen Stromkreisen
• Einsetzbar für Antriebsvorgänge in Automatisierungssystemen
• Einsatz in Energiemanagementsystemen zur Verbesserung der Effizienz

Wie verhält sich diese Komponente bei extremen Temperaturen?

Er arbeitet effektiv in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Was ist der Vorteil des geringen Einschaltwiderstands?

Ein niedriger Rds(on)-Wert verringert die Verlustleistung in Anwendungen, was zu einer verbesserten Gesamteffizienz und thermischen Leistung führt.

Kann dieses Gerät gepulste Ströme verarbeiten?

Ja, er kann gepulste Ableitströme effektiv verwalten und eignet sich daher für dynamische Anwendungen in der Elektronik.

Wie wird sie in Schaltungen eingebaut?

Der Baustein ist für oberflächenmontierte Anwendungen konzipiert, was eine kompakte Montage und eine effiziente Platznutzung auf Leiterplatten ermöglicht.

Was ist bei der Handhabung dieses Bauteils zu beachten?

Aufgrund seiner Empfindlichkeit gegenüber Spannungspegeln sollten die Benutzer auf eine ordnungsgemäße Handhabung achten und die angegebenen maximalen Gate-Source-Spannungsgrenzen einhalten.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	5,8 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TSOP-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	66 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	1.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.3mm