Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
165-8190
Herst. Teile-Nr.:
IRFTS9342TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

66mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.3mm

Breite

1.75 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 5,8A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRFTS9342TRPBF


Dieser MOSFET ist für einen hohen Wirkungsgrad in verschiedenen Anwendungen ausgelegt und spielt eine wichtige Rolle in elektronischen Schaltungen, die eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Der niedrige Durchlasswiderstand und die hohe Strombelastbarkeit tragen zur Energieeffizienz und Systemstabilität in Automatisierungs- und Elektroanwendungen bei.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) verbessert die Energieeffizienz

• Dauerstromunterstützung von 5,8 A für effektive Leistung

• Maximale Drain-Source-Spannung von 30 V gewährleistet Langlebigkeit

• Oberflächenmontiertes Design ermöglicht kompakte, effiziente Layouts

• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C verbessert die Anpassungsfähigkeit

Anwendungsbereich


• Einsatz in batteriebetriebenen DC-Motorumrichtern

• Eingesetzt zum Schalten von Systemen oder Lasten in verschiedenen Stromkreisen

• Einsetzbar für Antriebsvorgänge in Automatisierungssystemen

• Einsatz in Energiemanagementsystemen zur Verbesserung der Effizienz

Wie verhält sich diese Komponente bei extremen Temperaturen?


Er arbeitet effektiv in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Was ist der Vorteil des geringen Einschaltwiderstands?


Ein niedriger Rds(on)-Wert verringert die Verlustleistung in Anwendungen, was zu einer verbesserten Gesamteffizienz und thermischen Leistung führt.

Kann dieses Gerät gepulste Ströme verarbeiten?


Ja, er kann gepulste Ableitströme effektiv verwalten und eignet sich daher für dynamische Anwendungen in der Elektronik.

Wie wird sie in Schaltungen eingebaut?


Der Baustein ist für oberflächenmontierte Anwendungen konzipiert, was eine kompakte Montage und eine effiziente Platznutzung auf Leiterplatten ermöglicht.

Was ist bei der Handhabung dieses Bauteils zu beachten?


Aufgrund seiner Empfindlichkeit gegenüber Spannungspegeln sollten die Benutzer auf eine ordnungsgemäße Handhabung achten und die angegebenen maximalen Gate-Source-Spannungsgrenzen einhalten.

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