Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 40 A 26 W, 8-Pin TSDSON

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung und -verwaltung in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Hochstromanwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und effizientes Schalten erforderlich sind. Das Gerät wird in einem 8-poligen TSDSON-Gehäuse geliefert, das für dichte Baugruppen und thermische Routing auf Leiterplatten-Layouts geeignet ist.

• Sehr niedriger Einschaltwiderstand von 8,1 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A unterstützt Hochstromlasten
• Maximale Verlustleistung von 26 W ermöglicht eine hohe Wärmemanagement
• Eine typische Gate-Ladung von 9,1 nC ermöglicht eine effiziente Schaltleistung
• Die Durchlassspannung von 0,87 V minimiert den Spannungsabfall unter Last
• Gate-Source-Spannungstoleranz von bis zu 20 V bietet flexible Antriebsmargen

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler-Leistungsstufen
• Ideal für Hochstrom-DC-DC-Reglermodule
• Einsatz mit Server- und Telekommunikations-Stromverteilungssystemen
• Kann für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Motorantriebs-Vorantriebsstufen

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.

Der Formfaktor TSDSON bietet eine flache, oberflächenmontierbare Grundfläche, die eine enge Platzierung der Komponenten und eine direkte Wärmeleitung zum Leiterplattenkupfer erleichtert.

Der Transistor unterstützt Gate-Source-Spannungen bis zu 20 V

Es gibt acht Pins, die mehrere Verbindungen für Drain-, Source- und Gate-Routing ermöglichen, um Strompfade und thermische Leistung zu optimieren.