Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 48 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7463
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 3.3 mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 20 V bis 40 V für die Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen, um eine Reihe von Anforderungen zu erfüllen und RDS(on) bis hinunter auf 0,6 mEc zu erreichen. Die neue OptiMOS 6- und OptiMOS5 40-V-Benchmark-MOSFET-Technologie ermöglicht niedrige Leitungsverluste (Beste RDSon Leistung der Klasse), geringe Schaltverluste (verbessertes Schaltverhalten), verbesserte Diodenwiederherstellung und EMV-Verhalten. Diese MOSFET-Technologie wird in den Advanced- und innovativen Gehäusen eingesetzt, um die besten Produktleistungen und -qualität zu erreichen. Für ultimative Entwurfsflexibilität sind Kfz-qualifizierte MOSFETs in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, um eine Vielzahl von Anforderungen zu erfüllen. Infineon bietet seinen Kunden eine kontinuierliche Verbesserung der Strombelastbarkeit, des Schaltverhaltens, der Zuverlässigkeit, der Gehäusegröße und der Gesamtqualität. Die neu entwickelte integrierte Halbbrücke ist eine innovative und kostengünstige Paketlösung für Motorantriebe und Gehäuseanwendungen.
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
N-Kanal - Erweiterungsmodus - Logikpegel
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
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