Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 48 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
827-5246
Herst. Teile-Nr.:
BSZ050N03MSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TSDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

5,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

48 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

3.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.1mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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