Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TSDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

1.645,00 €

(ohne MwSt.)

1.960,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,329 €1.645,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-2985
Herst. Teile-Nr.:
BSZ099N06LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.9mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. Es ist sehr gut geeignet für drahtloses Laden, Adapter und Telekommunikationsanwendungen. Die Geräte mit niedriger Gate-Ladung (Q g) reduzieren Schaltverluste ohne Kompromisse bei den Leitungsverlusten.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Verwandte Links