Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,3 A 50 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6894
Herst. Teile-Nr.:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11,3 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

125 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,5 nC bei 10 V

Länge

3.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.4mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

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