Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

2.030,00 €

(ohne MwSt.)

2.415,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +0,406 €2.030,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6657
Herst. Teile-Nr.:
BSZ035N03MSGATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TSDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

69 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

3.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 4,5 V

Breite

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.1mm

Ursprungsland:
SG

Verwandte Links