Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6657
Herst. Teile-Nr.:
BSZ035N03MSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TSDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

69 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 4,5 V

Breite

3.4mm

Länge

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
SG

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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MOSFET-Transistoren, Infineon


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