Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 825-9130
Herst. Teile-Nr.:: BSZ086P03NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSZ086P03NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TSDSON
	Serie	OptiMOS P
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	43.2nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	25V
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Durchlassspannung Vf	-1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Länge	3.4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.4mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TSDSON
	Serie OptiMOS P
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.2nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 25V
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Durchlassspannung Vf -1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Länge 3.4mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.4mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V Drain-Source-Spannung, 40 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ086P03NS3GATMA1

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in industriellen Temperaturumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und ist für Hochstrom-Schaltfunktionen vorgesehen, bei denen eine kompakte, flache Verpackung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• 30 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 40 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht Hochstromschaltung
• Niedrige Rds(on) von 13.4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 69 W sorgt für thermische Belastung
• 43,2 nC typische Gate-Ladung gleicht Schaltgeschwindigkeit und Antriebsbedarf aus
• Maximale Gate-Source-Spannung von 25 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für die Steuerung von Gleichstrommotoren und Antriebsstufen
• Wird für die Lastschaltung in Telekommunikations- und Server-Stromversorgungssystemen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Verteilerschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungsmodule, die Low-Profile-Komponenten erfordern

Welche Gehäusetypen sollte ich für die Leiterplattenmontage erwarten?

Er wird in einem 8-poligen TSDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für automatisierte Pick-and-Place- und Reflow-Lötprozesse geeignet ist.

Wie verhält sich das Gerät während des Betriebs in weiten Temperaturbereichen?

Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen industriellen Temperaturbedingungen mit entsprechendem Wärmemanagement.

Welche Kanalpolarität muss der Gate-Treiber aufnehmen?

Das Gerät ist P-Kanal, sodass eine Gate-Drive-Logik für den P-Typ-Verbesserungsbetrieb und eine geeignete Pull-up/Pull-down-Signalisierung vorgesehen sein muss.

Gibt es Vorteile bei der Montage oder dem Profil?

Die flache Gehäusehöhe von 1,1 mm unterstützt platzbeschränkte Layouts und ermöglicht eine dichte Montage in kompakten Leistungsdesigns.