Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 825-9130
Herst. Teile-Nr.:: BSZ086P03NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 825-9130
Herst. Teile-Nr.:: BSZ086P03NS3GATMA1
Marke:: Infineon

BSZ086P03NS3 G, OptiMOS P3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	OptiMOS P
Gehäusegröße	TSDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	13,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.9V
Gate-Schwellenspannung min.	3.1V
Verlustleistung max.	69 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	43,2 nC @ 10 V
Breite	3.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.1mm

Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P

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