Vishay SiHF640L Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin TO-262

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

45,90 €

(ohne MwSt.)

54,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 500,918 €45,90 €
100 - 2000,863 €43,15 €
250 - 4500,78 €39,00 €
500 +0,734 €36,70 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6089
Herst. Teile-Nr.:
SIHF640L-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

SiHF640L

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Durchlassspannung Vf

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

11.3mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links