Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 156 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

28,80 €

(ohne MwSt.)

34,30 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 990 Einheit(en) mit Versand ab 27. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 102,88 €28,80 €
20 - 402,707 €27,07 €
50 - 902,448 €24,48 €
100 - 2402,304 €23,04 €
250 +2,16 €21,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6819
Herst. Teile-Nr.:
SIHP186N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

193mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.52mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.65 mm

Höhe

14.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHP186N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links