Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 18 A., 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 200-6819
Herst. Teile-Nr.:: SIHP186N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 18 A., 3-Pin TO-220AB

Voraussichtlich ab 29.01.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

2,645 €

(ohne MwSt.)

3,148 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 10	2,645 €	26,45 €
20 - 40	2,486 €	24,86 €
50 - 90	2,248 €	22,48 €
100 - 240	2,116 €	21,16 €
250 +	1,984 €	19,84 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 200-6819
Herst. Teile-Nr.:: SIHP186N60EF-GE3
Marke:: Vishay

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Document- SIHP186N60EF-GE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Vishay SIHP186N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A, 18 A.
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	EF
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,193 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay EF SIHP186N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A, 18 A., 3-Pin TO-220AB

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