Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 29 A 208 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 200-6794
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 88mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.52mm | |
| Höhe | 14.4mm | |
| Breite | 4.65mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 88mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.52mm | ||
Höhe 14.4mm | ||
Breite 4.65mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 29 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiHP105N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Leistungsschaltfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen vorgesehen ist. Er wurde für die Durchsteckmontage in Anwendungen entwickelt, die eine erhebliche Sperrspannung, eine konstante Strombelastbarkeit und eine robuste thermische Spanne erfordern, und bietet eine praktische Lösung für Hochspannungsschaltungen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht den Einsatz in Hochspannungs-Schaltsystemen
• 29 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 88 mΩ Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste
• 53 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Die Verlustleistung von 208 W verbessert die thermische Handhabung
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte Verbindungen
• 29 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 88 mΩ Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste
• 53 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Die Verlustleistung von 208 W verbessert die thermische Handhabung
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte Verbindungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird für Audio-Leistungsverstärker verwendet, die eine hohe Vds-Marge erfordern
• Kann für Frequenzumrichter in Maschinen verwendet werden
• Wird mit diskreten Gate-Treibern in Automatisierungssystemen verwendet
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird für Audio-Leistungsverstärker verwendet, die eine hohe Vds-Marge erfordern
• Kann für Frequenzumrichter in Maschinen verwendet werden
• Wird mit diskreten Gate-Treibern in Automatisierungssystemen verwendet
Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten für einen zuverlässigen Betrieb beachtet werden?
Das Gerät toleriert Gate-Source-Spannungen bis zu 30 V
bleiben innerhalb dieser Grenze, um eine Verschlechterung der Gate-Isolierung zu vermeiden und ein zu erwartendes Schaltverhalten zu gewährleisten.
Wie sollte das Wärmemanagement bei einer Durchgangsbohrungsanordnung angegangen werden?
Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper, der an der TO-220AB-Verpackungslasche befestigt ist, und stellen Sie einen ausreichenden Luftstrom sicher, um die Sperrschichttemperaturen unter 150 °C zu halten.
Welche Schaltkompromisse ergeben sich aus dem typischen Gate-Ladungswert?
Eine 53-nC-Gate-Ladung sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Treiberbedarf
müssen Treiber ausreichend Spitzenstrom liefern, um die gewünschten Anstiegs- und Abfallzeiten ohne übermäßige Schaltverluste zu erreichen.
Kann diese Komponente auf älteren Baugruppen montiert werden, die diskrete Komponenten erfordern?
Ja, das Durchsteckformat und die dreipolige Konfiguration sind mit herkömmlichen Leiterplattenkonstruktionen und manuellen Montageprozessen kompatibel.
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