Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 29 A 208 W, 3-Pin SiHP105N60EF-GE3 TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*

150,15 €

(ohne MwSt.)

178,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 08. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
50 - 503,003 €150,15 €
100 - 2002,823 €141,15 €
250 +2,553 €127,65 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6794
Herst. Teile-Nr.:
SiHP105N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

EF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

88mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.52mm

Höhe

14.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SiHP105N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links