Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

RS Best.-Nr.:: 200-6806
Herst. Teile-Nr.:: SiHA690N60E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle**
50 - 50	1,392 €	69,60 €
100 - 200	1,309 €	65,45 €
250 +	1,228 €	61,40 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 200-6806
Herst. Teile-Nr.:: SiHA690N60E-GE3
Marke:: Vishay

Document- SiHA690N60E-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,7 A, 4,3 A.
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	E
Gehäusegröße	TO-220 FP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,7 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

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