Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 650 V / 29 A 160 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 735-258
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH075N65E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | E Series | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.08Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie E Series | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.08Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
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