- RS Best.-Nr.:
- 268-8310
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)
2,529 €
(ohne MwSt.)
3,01 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
2000 + | 2,529 € | 5.058,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 268-8310
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET von Vishay mit der Technologie der Serie E der 4. Generation reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Netzteilen mit Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.
Niedrige effektive Kapazität
Lawinen-Nennstrom
Geringe Leistungsfähigkeit
Lawinen-Nennstrom
Geringe Leistungsfähigkeit
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 24 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 |
Montage-Typ | PCB-Montage |
Pinanzahl | 8 |
Channel-Modus | Enhancement |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Transistor-Werkstoff | Silicon |
Verwandte Produkte
- Vishay SIHK105N60E-T1-GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V /...
- Vishay SIHK085N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V /...
- Vishay SIHK045N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V /...
- Vishay SIHK105N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V /...
- Vishay SIHK125N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V /...
- Vishay SIHK185N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V /...
- Vishay SIHK045N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 48 A, 8-Pin...
- Vishay SIHK055N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 42 A, 8-Pin...