Vishay SIHK085N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V / 30 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 268-8306
Herst. Teile-Nr.:: SIHK085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHK085N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V / 30 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:: 268-8306
Herst. Teile-Nr.:: SIHK085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SIHK085N60EF-T1GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ	PCB-Montage
Pinanzahl	8
Channel-Modus	Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Silicon

Vishay SIHK085N60EF-T1GE3 N-Kanal Dual, PCB-Montage MOSFET 650 V / 30 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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