Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 268-8306
Herst. Teile-Nr.:: SIHK085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Herst. Teile-Nr.:: SIHK085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.085Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	184W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	9.9mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 184W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 9.9mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHK085N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK085N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor für die Leiterplattenmontage und ist für anspruchsvolle Anwendungen vorgesehen, die eine robuste thermische Toleranz und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen • 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Belastungen • 0,085 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Schalten • 63 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Gate-Drive-Design • Die Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen erheblichen Wärmedurchsatz • Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C unterstützt den Betrieb bei hohen Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Automatisierungssystemen • Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die einen hohen Strombedarf erfordern • Wird für Schaltnetzteile in der Industrieelektronik verwendet • Kann für Wechselrichterstufen in Leistungssteuergeräten verwendet werden

Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten bei der Verwendung berücksichtigt werden?

Das Gerät toleriert Gate-Spannungen bis zu 30 V und weist eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 63 nC auf, sodass die Treiber innerhalb dieser Spannungsgrenze ausreichend Ladungs- und Anstiegssteuerung liefern müssen.

Wie sollte das Wärmemanagement auf der Leiterplatte angeordnet werden?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 184 W und einer hohen Verbindungsleistung bieten sie eine beträchtliche Kupferfläche, Wärmeleitungen und ein geeignetes Kühlkörperbefestigungsmuster, um sichere Betriebstemperaturen aufrechtzuerhalten.

Welchen Umgebungstemperaturbereich verträgt es während des Betriebs?

Es arbeitet bis zu -55 °C und bis zu maximal 150 °C, was den Einsatz in breiten Umgebungs- und erhöhten Anschlussszenarien ermöglicht.

Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige Montage erforderlich?

Das Teil ist für die Leiterplattenmontage in einem PowerPAK 10 x 12-Gehäuse mit einer 8-poligen Schnittstelle vorgesehen, sodass Standard-Lötverfahren für Stromversorgungsgehäuse verwendet werden sollten.