Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8307
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.085Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHK | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK085N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor für die Leiterplattenmontage und ist für anspruchsvolle Anwendungen vorgesehen, die eine robuste thermische Toleranz und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen • 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Belastungen • 0,085 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Schalten • 63 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Gate-Drive-Design • Die Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen erheblichen Wärmedurchsatz • Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C unterstützt den Betrieb bei hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Automatisierungssystemen • Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die einen hohen Strombedarf erfordern • Wird für Schaltnetzteile in der Industrieelektronik verwendet • Kann für Wechselrichterstufen in Leistungssteuergeräten verwendet werden
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten bei der Verwendung berücksichtigt werden?
Das Gerät toleriert Gate-Spannungen bis zu 30 V und weist eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 63 nC auf, sodass die Treiber innerhalb dieser Spannungsgrenze ausreichend Ladungs- und Anstiegssteuerung liefern müssen.
Wie sollte das Wärmemanagement auf der Leiterplatte angeordnet werden?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 184 W und einer hohen Verbindungsleistung bieten sie eine beträchtliche Kupferfläche, Wärmeleitungen und ein geeignetes Kühlkörperbefestigungsmuster, um sichere Betriebstemperaturen aufrechtzuerhalten.
Welchen Umgebungstemperaturbereich verträgt es während des Betriebs?
Es arbeitet bis zu -55 °C und bis zu maximal 150 °C, was den Einsatz in breiten Umgebungs- und erhöhten Anschlussszenarien ermöglicht.
Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige Montage erforderlich?
Das Teil ist für die Leiterplattenmontage in einem PowerPAK 10 x 12-Gehäuse mit einer 8-poligen Schnittstelle vorgesehen, sodass Standard-Lötverfahren für Stromversorgungsgehäuse verwendet werden sollten.
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