Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:
268-8300
Herst. Teile-Nr.:
SIHH085N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Serie

SIHH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.085Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Verlustleistung Pd

184W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay mit schneller Gehäusediode und Technologie der Serie E der 4-Generation reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Server-Netzteilen und Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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