Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 268-8300
Herst. Teile-Nr.:: SIHH085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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Herst. Teile-Nr.:: SIHH085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SIHH
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.085Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	184W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SIHH
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 184W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: TW

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 30 A Drain-Strom – SIHH085N60EF-T1GE3

Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Steuerungssystemen in Industrie- und Automatisierungsumgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Hochspannungshandhabung und effiziente Schaltung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 30 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung des Dauerlastbetriebs • 0,085 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden • 63 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltleistung • 184 W Verlustleistung für hohe thermische Belastbarkeit • Maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C für den Einsatz bei erhöhten Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für industrielle Motorantriebswechselrichter, die Hochspannungsgeräte erfordern • Wird für Stromversorgungen in Automatisierungsgeräten mit hohen Schaltanforderungen verwendet • Ideal für Schaltmodus-Wandler, die eine erhebliche Verlustleistung bewältigen • Kann zum Austausch von Hochspannungsrelais in elektrischen Schalttafeln verwendet werden

Welche Montageart ist auf einer Platine erforderlich?

Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das kompatible Lötmuster für die thermische und elektrische Verbindung erfordert.

Wie wirkt sich die Gate-Spannungsbegrenzung auf Steuerschaltkreise aus?

Das Gate muss innerhalb von ±30 V betrieben werden, um eine dielektrische Gate-Bespannung zu vermeiden, daher sollten die Gate-Treiber geeignete Spannungsbereiche und Schutz bieten.

Welche thermischen Bedingungen sollten bei der Entwicklung berücksichtigt werden?

Mit einer Verlustleistung von 184 W und einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C ist ein Wärmemanagement wie Wärmeverteilung und ausreichendes Leiterplattenkupfer erforderlich, um sichere Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.

Welche Komplexität bei der Pin-Konfiguration sollten Entwickler erwarten?

Das Gerät verfügt über vier Pins, die eine korrekte Zuordnung im Layout erfordern, um Verbindungen mit niedriger Induktivität für Drain-, Quellen- und Gate-Funktionen zu gewährleisten.