Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8300
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHH | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.085Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHH | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 30 A Drain-Strom – SIHH085N60EF-T1GE3
Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Steuerungssystemen in Industrie- und Automatisierungsumgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Hochspannungshandhabung und effiziente Schaltung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 30 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung des Dauerlastbetriebs • 0,085 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden • 63 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltleistung • 184 W Verlustleistung für hohe thermische Belastbarkeit • Maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C für den Einsatz bei erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebswechselrichter, die Hochspannungsgeräte erfordern • Wird für Stromversorgungen in Automatisierungsgeräten mit hohen Schaltanforderungen verwendet • Ideal für Schaltmodus-Wandler, die eine erhebliche Verlustleistung bewältigen • Kann zum Austausch von Hochspannungsrelais in elektrischen Schalttafeln verwendet werden
Welche Montageart ist auf einer Platine erforderlich?
Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das kompatible Lötmuster für die thermische und elektrische Verbindung erfordert.
Wie wirkt sich die Gate-Spannungsbegrenzung auf Steuerschaltkreise aus?
Das Gate muss innerhalb von ±30 V betrieben werden, um eine dielektrische Gate-Bespannung zu vermeiden, daher sollten die Gate-Treiber geeignete Spannungsbereiche und Schutz bieten.
Welche thermischen Bedingungen sollten bei der Entwicklung berücksichtigt werden?
Mit einer Verlustleistung von 184 W und einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C ist ein Wärmemanagement wie Wärmeverteilung und ausreichendes Leiterplattenkupfer erforderlich, um sichere Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.
Welche Komplexität bei der Pin-Konfiguration sollten Entwickler erwarten?
Das Gerät verfügt über vier Pins, die eine korrekte Zuordnung im Layout erfordern, um Verbindungen mit niedriger Induktivität für Drain-, Quellen- und Gate-Funktionen zu gewährleisten.
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