Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:
268-8302
Herst. Teile-Nr.:
SIHH250N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Serie

SIHH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der Leistungs-MOSFET von Vishay mit schneller Gehäuse-Diode und Technologie der Serie E der 4. Generation. Es reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Telekommunikationsnetzteilen eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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