Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 279-9913
Herst. Teile-Nr.:: SIHH150N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:: 279-9913
Herst. Teile-Nr.:: SIHH150N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Serie	SIHH
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.158Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	8mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Serie SIHH
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 8mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHH150N60E-T1-GE3

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH150N60E-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist für die Oberflächenmontage verpackt, wodurch es sich für kompakte Stromversorgungsbaugruppen eignet, bei denen eine kontrollierte Schaltung von hohen Spannungen erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 600 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,158 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste beim Betriebsstrom • Typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie • Maximale Verlustleistung von 156 W steuert die thermische Belastung in Designs • 30-V-Gate-Schwellwert für Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter • Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen • Wird für die Schaltnetzteil-Umwandlung in Automatisierungssystemen verwendet • Kann zum Schalten von Hochspannungslasten in Prüfgeräten verwendet werden

Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.

Wie wird das Gerät in kompakten Stromversorgungsmodulen montiert?

Es wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit vier Stiften für die Leiterplattenmontage mit niedrigem Profil geliefert.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um Gate-Grenzwerte zu vermeiden.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische Handhabung aus?

Das PowerPAK 8x8-Oberflächenpaket in Kombination mit der Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung in Verbindung mit einem geeigneten thermischen Leiterplatten-Design.