Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 279-9913
Herst. Teile-Nr.:: SIHH150N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:: 279-9913
Herst. Teile-Nr.:: SIHH150N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	SIHH
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.158Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	8mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie SIHH
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 8mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHH150N60E-T1-GE3

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 19 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH150N60E-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für die Leistungsschaltung in SMD-Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und unterstützt einen hohen Dauerstrom, wodurch er sich für anspruchsvolle elektronische Systeme eignet, die eine robuste Spannungsbeständigkeit und thermische Beständigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• 36 nC Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltleistung
• Gate-Grenzwert Vgs 30 V bietet Gate-Überspannungsschutz

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für robuste Stromschaltvorgänge in Telekommunikationssystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

Welchen thermischen Bedingungen kann er während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremen Temperaturbereichen.

Welche Befestigungsart ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?

Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für das direkte Löten von Leiterplatten vorgesehen ist.

Wie viele elektrische Verbindungen bietet die Komponente?

Das Gerät verfügt über eine vierpolige Konfiguration zur Verbindung mit Gate-, Drain- und Source-Layout-Anforderungen.

Welchen Kanal-Leitungsmodus nutzt er zum Schalten?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das leitet, wenn eine positive Gate-Source-Spannung angelegt wird.