Vishay SIHK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 279-9920
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
5,16 €
(ohne MwSt.)
6,14 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.000 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 49 | 5,16 € |
| 50 - 99 | 5,05 € |
| 100 - 249 | 4,96 € |
| 250 - 999 | 4,84 € |
| 1000 + | 4,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9920
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 9.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 9.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK155N60E-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Enhancement-Modus-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde. Er eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Drain-to-Source-Blockierung bei erhöhten Spannungen erfordern, während er über einen breiten Temperaturbereich arbeitet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsdesigns • 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,158 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs • 36 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltleistung • Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte thermische Belastungen
Anwendungen
• Geeignet für Offline-SMPS-Primärschalter in Netzteilen • Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen • Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Automatisierungssystemen • Kann für den Wechselrichter-Ausgangsschalter in elektrischen Antrieben verwendet werden • Wird für Schaltlasten in mechanischen Steuergeräten verwendet
Welches Gehäuse sollte ich bei der Auslegung der Platine berücksichtigen?
Das Gerät wird in einem 8-poligen PowerPAK10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine mit diesem Wärmeleitpad und der Kabelanordnung kompatible Grundfläche erfordert.
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für Steuerschaltkreise sicher?
Die maximale zulässige Gate-zu-Quelle-Spannung beträgt 30 V, sodass Treiberkreise Gate-Exkursionen innerhalb dieser Grenze halten sollten.
Wie verhält es sich thermisch unter Last?
Es kann bis zu 156 W ableiten
muss das Wärmemanagement sicherstellen, dass die Sperrschicht-Umgebungstemperatur innerhalb der Grenzwerte bleibt, um einen zuverlässigen Betrieb bis zu 150 °C zu gewährleisten.
Gibt es Umwelt- oder gesetzliche Konstruktionsaspekte?
Es ist RoHS-konform und ermöglicht den Einsatz in Designs, die gefährliche Substanzen einschränken.
Welche Schaltcharakteristik beeinflusst die Treiberauswahl?
Die typische Gate-Ladung beträgt 36 nC bei der Nenn-Gate-Spannung, wodurch der erforderliche Antriebsstrom und die Schaltgeschwindigkeitskompromisse bestimmt werden.
Verwandte Links
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHH Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay TrenchFET P-Kanal 6-Pin PowerPAK SC-70
- Vishay E Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK
- Vishay Typ P-Kanal 6-Pin PowerPAK
- Vishay Typ N-Kanal 6-Pin PowerPAK