Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 202 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 124-2251
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH26N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 135mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 77nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 202W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 135mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 77nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 202W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).
Merkmale
Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Niedriger Widerstand (RDS(ein))
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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