Vishay E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-178
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | E | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 7.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie E | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 7.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 51 A Drain-Strom – SIHM080N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen in der industriellen Elektronik vorgesehen ist. Er funktioniert als N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus, der für hohe Drain-Source-Spannungen entwickelt wurde, während er auf Leiterplattenmontagebaugruppen arbeitet. Seine Konstruktion eignet sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen und Standardfertigungsprozesse.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Nennleistung für Hochspannungsschaltanwendungen • 51 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung • 0,084 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste • 42 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Gate-Drive-Größe • 500 W Verlustleistung für erhöhte Leistungsaufnahmefähigkeit • Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für hohe Temperaturtoleranz
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile in der industriellen Automatisierung • Ideal für Motorantriebs-Wechselrichterstufen in Fertigungsanlagen • Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in der Stromverteilung • Kann für hard-switched-Topologien in Prüfanlagen verwendet werden • Geeignet für Zwischenstromkreise in Wechselrichtern für erneuerbare Energien
Welche Montageart ist für die Implementierung der Schaltung erforderlich?
Es wurde für die Leiterplattenmontage mit einem PowerPAK-Gehäuse mit vier Stiften entwickelt, um die thermische und elektrische Verbindung zu erleichtern.
Wie sollten Gate-Drive-Spannungen ausgewählt werden?
Die Amplitude des Gate-Drives darf die Gate-Source-Grenze von ±30 V nicht überschreiten und sollte so gewählt werden, dass die Schaltgeschwindigkeit mit der Gate-Ladung von 42 nC zur Steuerung der Verluste ausgeglichen wird.
In welchem Umgebungstemperaturbereich kann es betrieben werden?
Das Gerät unterstützt den Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von -55 °C und bis zu 150 °C und ermöglicht so den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen.
Wie hilft das Gehäuse beim Wärmemanagement?
Der PowerPAK-Formfaktor bietet einen kompakten Wärmepfad zur Leiterplatte und hilft bei der Ableitung von bis zu 500 W bei geeigneten Kühlungsstrategien auf Board-Ebene.
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