Vishay SIHM080N60E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-178
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SIHM080N60E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SIHM080N60E | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay Power MOSFET ist ein MOSFET der 4. Generation der Serie E, der für hocheffiziente Schaltungen in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und eine optimierte thermische Leistung. Verpackt in PowerPAK 8x8L, ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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