Vishay SIR4411DP Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / -48.3 A 56.8 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
653-192
Herst. Teile-Nr.:
SIR4411DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-48.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Serie

SIR4411DP

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.011Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Breite

6.25 mm

Höhe

0.61mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen IV ist für eine Ablassquelle-Spannung von 40 V ausgelegt. Er verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine schnelle Schaltleistung, womit er sich für ein hocheffizientes Strommanagement eignet. Gepackt in einem kompakten PowerPAK SO-8, ist es ideal für DC/DC-Wandler, Lastumschaltung und Batteriemanagement in platzsparenden Designs.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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