Vishay SISS5208DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 20 V / 172 A 56.8 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-149
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5208DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 172A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | SISS5208DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0013Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.83mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.40mm | |
| Breite | 3.40mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 172A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie SISS5208DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0013Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.83mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.40mm | ||
Breite 3.40mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Einfache MOSFETs der Serie SISS5208DN von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 172 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SISS5208DN-T1-GE3
Dieser einzelne MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in kompakten Stromversorgungsbaugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die ein schnelles Schalten und eine erhebliche kontinuierliche Ablassfähigkeit erfordern und gleichzeitig ein effizientes thermisches Verhalten erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der kontinuierliche Ablassstrom 172 A ermöglicht eine hohe Belastbarkeit • 20 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen • 0,0013 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste • 24,6 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik • 56,8 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastung unter Last • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Einsatz in erhöhten Umgebungen
Anwendungen
• Geeignet für Motorantriebsstufen in Automatisierungsanlagen • Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen • Wird für Lastschaltvorgänge in industriellen Schalttafeln verwendet • Kann für H-Brücken-Ausgangsstufen in der Robotik verwendet werden • Wird mit Hochleistungs-MOSFET-Arrays in Wechselrichtermodulen verwendet
Welchen Gate-Spannungsbereich sollte ich bei der Entwicklung von Gate-Treibern planen?
Das Gerät akzeptiert Gate-Source-Spannungen von bis zu 8 V, sodass ein Gate-Treiber, der Vgs innerhalb dieser Grenze liefert, einen sicheren Betrieb gewährleistet.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Leiterplatten-Layout und die thermischen Pfade aus?
Das PowerPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage konzentriert thermische und elektrische Verbindungen auf einer kleinen Grundfläche, sodass Kupferguss und thermische Leitungen empfohlen werden, um den Leistungsverlust von 56,8 W des Geräts abzuleiten.
Welche Umgebungsbedingungen sind für einen zuverlässigen Betrieb zulässig?
Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in rauen industriellen Temperaturbereichen ermöglicht.
Wie sollten Einschalt- oder Einschaltströme in der Konstruktion berücksichtigt werden?
Mit einem niedrigen Rds(on) von 0,0013 Ω und einer hohen Dauerstromkapazität sollten Überspannungsbelastungen gegen Überspannungsfähigkeiten und Leiterplatten-Trace-Stromwerte bewertet werden, um Überbelastungen zu vermeiden.
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