Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-080
Herst. Teile-Nr.:
SIHR100N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

347W

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.42mm

Breite

8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 38 A – SIHR100N60E-T1-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Steuerungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als oberflächenmontierter Transistor, der für die Leistungsumwandlung und Hochspannungsschaltumgebungen geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Spannungsverarbeitung und thermischer Belastbarkeit für den Einsatz in anspruchsvollen Baugruppen bietet.

Merkmale und Vorteile:


• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 38 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,105 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs • Die Verlustleistung von 347 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung • Typische Gate-Ladung von 34 nC ermöglicht eine effiziente Gate-Drive-Steuerung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C unterstützt den Betrieb bei extremen Temperaturen

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler in der industriellen Automatisierung • Ideal für Motorantriebs-Frontenden, die eine robuste Schaltung erfordern • Wird für Schaltnetzteile verwendet, die erhöhte Spannungen verarbeiten • Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen in elektrischen Systemen verwendet werden • Wird mit Gate-Treibern in Hochspannungswechselrichterkonstruktionen verwendet

Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?


Es ist für die Oberflächenmontage in einem PowerPAK-Gehäuse konzipiert und erfordert Standard-SMT-Reflow-Profile und eine geeignete Kupferplanung für die Wärmeableitung.

Wie wirkt sich die Gate-Drive-Spannung auf das Schalten aus?


Das Gerät toleriert bis zu 30 V am Gate in Bezug auf die Quelle

Die Verwendung der empfohlenen Gate-Spannungen optimiert die Einschaltgeschwindigkeit und vermeidet gleichzeitig eine Gate-Überspannung.

Welche thermischen Überlegungen sind für Anwendungen mit hoher Leistung erforderlich?


Aufgrund der Verlustleistung von 347 W sind eine ausreichende Leiterplatten-Kupferfläche und Wärmeleitungen erforderlich, um die Wärme vom Gehäuse abzuleiten, um die Sperrschichttemperaturen unter den maximalen Grenzwerten zu halten.

Ist dieses Gerät für Automobildesigns geeignet?


Es ist nicht als Automotive-Güte angegeben, sodass die Eignung von den Anforderungen auf Systemebene und den zusätzlichen Qualifikationen abhängt, die der Entwickler benötigt.

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