Vishay SI2122DS N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 2.17 A 1.6 W, 3-Pin PowerPAK

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Vishay SI2122DS N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 2.17 A 1.6 W, 3-Pin PowerPAK
RS Best.-Nr.
653-087

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RS Best.-Nr.:
653-085
Herst. Teile-Nr.:
SI2122DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SI2122DS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.160Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für kompakte, hocheffiziente Schaltungen in Niedrigleistungsanwendungen entwickelt. Er unterstützt bis zu 100 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in einem SOT-23-Format, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie für niedrige RDS(on), schnelles Schalten und effiziente thermische Leistung in platzschnellen Designs.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Wird in der LED-Hinterleuchtung verwendet

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