Vishay SI2122DS Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 2.17 A 1.6 W, 3-Pin PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

0,31 €

(ohne MwSt.)

0,37 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 240,31 €
25 - 990,28 €
100 - 4990,25 €
500 - 9990,22 €
1000 +0,19 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-087
Herst. Teile-Nr.:
SI2122DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SI2122DS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.160Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für kompakte, hocheffiziente Schaltungen in Niedrigleistungsanwendungen entwickelt. Er unterstützt bis zu 100 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in einem SOT-23-Format, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie für niedrige RDS(on), schnelles Schalten und effiziente thermische Leistung in platzschnellen Designs.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Wird in der LED-Hinterleuchtung verwendet

Verwandte Links