Vishay SISS5812DN N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 42.8 A 44.6 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-133
Herst. Teile-Nr.:
SISS5812DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SISS5812DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0135Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

44.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.83mm

Länge

3.4mm

Breite

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen V ist für eine Ablassquelle-Spannung von 80 V ausgelegt. Gepackt in einem kompakten PowerPAK 1212-8S ist es ideal für KI-Server-Stromversorgungslösungen, DC/DC-Wandler und Lastschaltungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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