Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin SIHR100N60E-T1-GE3 PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

12.504,00 €

(ohne MwSt.)

14.880,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +4,168 €12.504,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-079
Herst. Teile-Nr.:
SIHR100N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

347W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

8 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E der 4. Generation von Vishay wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Er verfügt über eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und eine optimierte thermische Leistung in einem kompakten PowerPAK 8x8LR-Gehäuse. Ideal für den Einsatz in Server-, Telekommunikations- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen und bietet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links