Vishay SiR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 105 A 56.8 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
279-9947
Herst. Teile-Nr.:
SIR5211DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

105A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0062Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

158nC

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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