Vishay SIR1309DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 15,3 A, 8-Pin PowerPak SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 252-0271
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR1309DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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---|---|---|
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100 - 490 | 0,696 € | 6,96 € |
500 - 990 | 0,629 € | 6,29 € |
1000 - 2490 | 0,593 € | 5,93 € |
2500 + | 0,556 € | 5,56 € |
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- 252-0271
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR1309DP-T1-GE3
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- Vishay
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Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. Das Substrat des P-Kanal-MOSFETS enthält Elektronen und Elektronenlöcher. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die am Gate-Anschluss anliegende Spannung niedriger ist als die Ausgangsspannung.
TrenchFET Gen IV p-Kanal Leistungs-MOSFET
100 % Rg getestet
100 % Rg getestet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 15,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPak SO-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
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