Vishay E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK

RS Best.-Nr.:: 653-177
Herst. Teile-Nr.:: SIHM080N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

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RS Best.-Nr.:: 653-177
Herst. Teile-Nr.:: SIHM080N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	51A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	PowerPAK
	Serie	E
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.084Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	500W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	42nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8mm
	Breite	7.9mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße PowerPAK
	Serie E
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 500W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8mm
	Breite 7.9mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHM080N60E-T1-GE3

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 51 A Drain-Strom – SIHM080N60E-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen in der industriellen Elektronik vorgesehen ist. Er funktioniert als N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus, der für hohe Drain-Source-Spannungen entwickelt wurde, während er auf Leiterplattenmontagebaugruppen arbeitet. Seine Konstruktion eignet sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen und Standardfertigungsprozesse.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V Nennleistung für Hochspannungsschaltanwendungen • 51 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung • 0,084 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste • 42 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Gate-Drive-Größe • 500 W Verlustleistung für erhöhte Leistungsaufnahmefähigkeit • Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für hohe Temperaturtoleranz

Anwendungen

• Geeignet für Schaltnetzteile in der industriellen Automatisierung • Ideal für Motorantriebs-Wechselrichterstufen in Fertigungsanlagen • Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in der Stromverteilung • Kann für hard-switched-Topologien in Prüfanlagen verwendet werden • Geeignet für Zwischenstromkreise in Wechselrichtern für erneuerbare Energien

Welche Montageart ist für die Implementierung der Schaltung erforderlich?

Es wurde für die Leiterplattenmontage mit einem PowerPAK-Gehäuse mit vier Stiften entwickelt, um die thermische und elektrische Verbindung zu erleichtern.

Wie sollten Gate-Drive-Spannungen ausgewählt werden?

Die Amplitude des Gate-Drives darf die Gate-Source-Grenze von ±30 V nicht überschreiten und sollte so gewählt werden, dass die Schaltgeschwindigkeit mit der Gate-Ladung von 42 nC zur Steuerung der Verluste ausgeglichen wird.

In welchem Umgebungstemperaturbereich kann es betrieben werden?

Das Gerät unterstützt den Betrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur von -55 °C und bis zu 150 °C und ermöglicht so den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen.

Wie hilft das Gehäuse beim Wärmemanagement?

Der PowerPAK-Formfaktor bietet einen kompakten Wärmepfad zur Leiterplatte und hilft bei der Ableitung von bis zu 500 W bei geeigneten Kühlungsstrategien auf Board-Ebene.