Vishay SIHM080N60E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
653-177
Herst. Teile-Nr.:
SIHM080N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIHM080N60E

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.9 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay Power MOSFET ist ein MOSFET der 4. Generation der Serie E, der für hocheffiziente Schaltungen in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und eine optimierte thermische Leistung. Verpackt in PowerPAK 8x8L, ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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