Vishay SIHM080N60E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

15.666,00 €

(ohne MwSt.)

18.642,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +5,222 €15.666,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-177
Herst. Teile-Nr.:
SIHM080N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIHM080N60E

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8mm

Breite

7.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay Power MOSFET ist ein MOSFET der 4. Generation der Serie E, der für hocheffiziente Schaltungen in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und eine optimierte thermische Leistung. Verpackt in PowerPAK 8x8L, ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links