Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9916
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.159Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.159Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 18 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH155N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen in industriellen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät für Schalt- und Verstärkungsaufgaben, bei denen eine hohe Drain-Source-Spannungskapazität und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind. Die Komponente wird in einem kompakten PowerPAK-Gehäuse geliefert, das für dichte Baugruppen und Wärmemanagement geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Typische Gate-Ladung von 38 nC gewährleistet vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte Verbindungslasten
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Typische Gate-Ladung von 38 nC gewährleistet vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte Verbindungslasten
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebs-Schaltstufen
• Ideal für SMPS-Primärseitiges Schalten in industriellen Versorgungsunternehmen
• Wird für die AC/DC-Umwandlung in Power-Management-Modulen verwendet
• Kann für induktives Lastschalten in Automatisierungsgeräten verwendet werden
• Ideal für SMPS-Primärseitiges Schalten in industriellen Versorgungsunternehmen
• Wird für die AC/DC-Umwandlung in Power-Management-Modulen verwendet
• Kann für induktives Lastschalten in Automatisierungsgeräten verwendet werden
Was sind die thermischen Grenzwerte bei der Entwicklung von Kühlkörpern?
Das Gerät ermöglicht eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C und eine Gesamtverlustleistung von 156 W
sollte das thermische Layout den thermischen Widerstand des Gehäuses berücksichtigen und für ausreichendes Leiterplatten-Kupfer oder Kühlkörper sorgen, um die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen zu halten.
Welche Überlegungen sind für eine schnelle Schaltung erforderlich?
Die typische Gate-Ladung beträgt 38 nC am spezifizierten Gate-Treiber
wählen Sie einen Treiber, der die erforderliche Ladung innerhalb der gewünschten Schaltzeit liefern kann, wobei die maximale Gate-Source-Spannung von 30 V eingehalten wird.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Niedrigtemperaturen?
Es ist für den Betrieb bis zu -55 °C spezifiziert, sodass Materialien und Lötprozesse einen thermischen Zyklus über diesen Bereich zulassen müssen.
Gibt es Befestigungs- oder Pinanzahl-Bedenken für das Leiterplatten-Layout?
Die Komponente ist ein oberflächenmontierter PowerPAK mit vier Stiften
Die Leiterplatten-Grundfläche und die thermischen Leitungen sollten so konzipiert sein, dass sie der elektrischen und thermischen Leistung des Gehäuses entsprechen.
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