Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
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Herst. Teile-Nr.:
SIHH155N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Serie

SIHH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.159Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 18 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH155N60EF-T1GE3


Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er kombiniert eine robuste Bemessungsspannung mit einer erheblichen Dauerstromfähigkeit und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine effiziente Schaltung und thermische Toleranz über einen breiten Umgebungsbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 600 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung des Hochlastbetriebs
• 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 156 W unterstützt die Handhabung höherer Leistung
• 38 nC typische Gate-Ladung für kontrollierte Schaltübergänge
• Die Gate-Source-Nennleistung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen


• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Ideal für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Wird mit synchrone Gleichrichtung und Schaltstufen verwendet
• Kann für Hochleistungs-LED-Treiberkreise verwendet werden
• Einsatz in Hochspannungs-Prüf- und Messgeräten

In welchem Temperaturbereich kann er zuverlässig funktionieren?


Er funktioniert in einem breiten Bereich von -55 °C bis 150 °C und eignet sich für Kaltstarts und erhöhte Betriebstemperaturen.

Welche Verpackungs- und Montageverfahren wird für die Leiterplattenmontage verwendet?


Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für eine flache Leiterplattenmontage und einen effizienten Wärmekontakt ausgelegt ist.

Wie viele Pins sind für den Anschluss und die Steuerung verfügbar?


Vier Pins sind zur Implementierung von Drain-, Source- und Gate-Anschlüssen in Standard-MOSFET-Konfigurationen vorgesehen.

Was ist die Durchlassspannungseigenschaft des Geräts für die eigensichere Diodenleitung relevant?


Die eingebaute Diode weist während der Leitung eine typische Durchlassspannung von 1,2 V auf.

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