Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8303
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH250N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in industriellen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Es ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und thermische Beständigkeit erforderlich sind, und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, um anspruchsvollen Umgebungen gerecht zu werden.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,25 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs • 23 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik • Maximale Gate-Toleranz von 30 V für Standard-Gate-Treiber • 89 W Verlustleistung ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsstromschaltungen in industriellen Antrieben • Ideal für Schaltnetzteile, die hohe Vds erfordern • Wird für Motor-Wechselrichterstufen verwendet, die mit moderaten Strömen umgehen • Kann für Leistungsfaktorkorrekturmodule in Anlagenanlagen verwendet werden
Welches Montageformat ist für die Schaltkreismontage erforderlich?
Es verwendet ein PowerPAK 8x8-Oberflächengehäuse mit vier Stiften für die Leiterplattenmontage mit niedriger Induktivität.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?
Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit großen thermischen Schwankungen.
Wie hoch ist die maximale Spannung zwischen Drain und Quelle?
Die maximale Drain-Source-Nennspannung beträgt 650 V, was die obere Grenze für die Sperrspannung im Steady-State definiert.
Welche Gate-Treiber-Einschränkungen sollten beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.
Gibt es gesetzliche Materialbeschränkungen?
Die Komponente ist als RoHS-konform aufgeführt, was auf die Beschränkung bestimmter gefährlicher Substanzen hinweist.
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