Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 114 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

7.341,00 €

(ohne MwSt.)

8.736,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +2,447 €7.341,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6811
Herst. Teile-Nr.:
SIHH186N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

193mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.05 mm

Höhe

8.1mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links