Vishay EF SIHH186N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A, 16 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 200-6811
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 28.01.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
2,297 €
(ohne MwSt.)
2,733 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,297 € | 6.891,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 200-6811
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A, 16 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 |
| Serie | EF |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,193 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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