Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

30,84 €

(ohne MwSt.)

36,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +6,168 €30,84 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6810
Herst. Teile-Nr.:
SIHH125N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EF

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

8.1mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.05 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links