Vishay SiH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 202 W, 4-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-156
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH068N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SiH | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.059Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 202W | |
| Durchlassspannung Vf | 600V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SiH | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.059Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 202W | ||
Durchlassspannung Vf 600V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8mm | ||
Breite 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen
94 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C
54,3 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten
Erweiterter Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
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